漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A...
1 264 加入询价
STD15N60DM6 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A...
1 2,000 加入询价
IPD65R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.2...
1 2,000 加入询价
IPD65R950C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5...
1 2,000 加入询价
IPD70R950CEAUMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 7.4...
1 2,000 加入询价
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