供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IRFR3411TRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 32A...
1 6 加入询价
IRFR3504PBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A...
1 2,000 加入询价
IRFR3411PBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 32A...
1 2,000 加入询价
IRFR3504TRLPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A...
1 2,000 加入询价
IRFR3504TRRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A...
1 2,000 加入询价
IRFR3504TRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A...
1 2,000 加入询价
AUIRFR3504TRL Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 56A...
1 2,000 加入询价
AUIRFR3504 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 56A...
1 2,000 加入询价
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