供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G23N06K Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<35M@10V,...
1 3,728 加入询价
G15P04K Goford Semiconductor
P40V,RD(MAX)<39M@-10V...
1 4,568 加入询价
IRFR024TRPBF-BE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A...
1 2,000 加入询价
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