- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 22A... |
1 | 17,385 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 60A... |
1 | 83,607 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 85A... |
1 | 29 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 50A... |
1 | 3,117 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A... |
1 | 6,760 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 6.5A... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 4.3A... |
1 | 2,386 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 6.5A... |
1 | 2,398 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 16.4... |
1 | 2,377 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 86A... |
1 | 2,480 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 50A... |
1 | 1,460 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 60A... |
1 | 1,955 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 1,896 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A... |
1 | 967 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 85A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY |
1 | 346 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 70A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
