- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<13M@4.5V... |
1 | 4,624 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<240M@10V... |
1 | 7,497 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 7A,RD<140M@10V,V... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N40V, 25A,RD<15M@10V,V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N-CH, 60V,15A,RD(MAX... |
1 | 10,198 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<20M@10V,... |
1 | 4,265 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<35M@-10V... |
1 | 4,501 | 加入询价 | |
|
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)130mOHM... |
1 | 4,847 | 加入询价 | |
|
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Goford Semiconductor | N60V, 25A,RD<27M@10V,V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<35M@10V,... |
1 | 3,728 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<7M@10V,R... |
1 | 4,536 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<39M@-10V... |
1 | 4,568 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V,RD(MAX)<650M@10V... |
1 | 3,977 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10... |
1 | 6,590 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P100V,RD(MAX)<200M@-10... |
1 | 4,625 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V, -20A,RD<45M@-10V... |
1 | 2,521 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<17M@10V,... |
1 | 3,812 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-40V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 5,279 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V, 80A,RD<6.5M@10V,V... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 60V,45... |
1 | 4,247 | 加入询价 |
