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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
100 V
(1)
40 V
(1)
60 V
(1)
80 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
100A(Tc)
(1)
51A(Tc)
(1)
67A(Tc)
(1)
89A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
11 毫欧 @ 25A,10V
(1)
16.3 毫欧 @ 15A,10V
(1)
3.3 毫欧 @ 25A,10V
(1)
6.4 毫欧 @ 15A,10V
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
45 nC @ 10 V
(2)
49 nC @ 10 V
(1)
54 nC @ 10 V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
2712 pF @ 30 V
(1)
2744 pF @ 50 V
(1)
2754 pF @ 20 V
(1)
2800 pF @ 40 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
工作温度 : -55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值) : 117W(Tc)
封装/外壳 : SC-100,SOT-669
4 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PSMN7R0-60YS,115
Nexperia
MOSFET N-CH 60V 89A...
1
2,000
加入询价
PSMN011-80YS,115
Nexperia
MOSFET N-CH 80V 67A...
1
2,000
加入询价
PSMN3R3-40YS,115
Nexperia
MOSFET N-CH 40V 100A...
1
2,000
加入询价
PSMN016-100YS,115
Nexperia
MOSFET N-CH 100V 51A...
1
2,000
加入询价
PSMN7R0-60YS,115
Nexperia
-
库存 : 2,000
询价
PSMN011-80YS,115
Nexperia
-
库存 : 2,000
询价
PSMN3R3-40YS,115
Nexperia
-
库存 : 2,000
询价
PSMN016-100YS,115
Nexperia
-
库存 : 2,000
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