漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
PSMN9R1-30YL,115 Nexperia
MOSFET N-CH 30V 57A...
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IAUC60N06S5N074ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET_)40V 60V) PG-...
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IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET_)40V 60V) PG-...
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IPB11N03LA Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A...
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IPB11N03LA G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A...
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IPB13N03LB Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A...
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IPD10N03LA Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A...
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IPD10N03LA G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A...
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IPF10N03LA Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A...
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IPF10N03LA G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A...
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IPI11N03LA Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A...
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IPP11N03LA Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A...
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IPP13N03LB G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A...
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IPS10N03LA G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A...
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IPU10N03LA Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A...
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IPU10N03LA G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A...
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IPB13N03LB G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A...
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IPD12N03LB G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A...
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