FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPD25DP06LMATMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 6.5A...
1 2,500 加入询价
IPD25DP06NMATMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 6.5A...
1 2,398 加入询价
IRLR014NTRL Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A...
1 2,000 加入询价
IRLR014NTR Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A...
1 2,000 加入询价
IRLR014NTRR Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A...
1 2,000 加入询价
IRLR014NPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A...
1 2,000 加入询价
IRLR014NTRPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A...
1 2,000 加入询价
AUIRLR014NTRL Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A...
1 2,000 加入询价
AUIRLR014N Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A...
1 2,000 加入询价
IPD06P005LATMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 6.5A...
1 2,000 加入询价
IPD06P005NATMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 6.5A...
1 2,000 加入询价
IPD25DP06LMSAUMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 6.5A...
1 2,000 加入询价
IPD06P005LSAUMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 6.5A...
1 2,000 加入询价
IPD06P005NSAUMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 6.5A...
1 2,000 加入询价
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