供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IRFP250MPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 30A...
1 3,002 加入询价
IRFP250NPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 30A...
1 14,316 加入询价
IPB024N08N5ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A...
1 2,000 加入询价
IPP027N08N5AKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A...
1 2,000 加入询价
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