- 漏源电压（Vdss）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SemiQ | SIC MOSFET 1200V 80M... |
1 | 662 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 204 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC MOSFET 1200V 80M... |
1 | 70 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 65 | 加入询价 | |
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Microsemi | SICFET N-CH 700V 35A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 80... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
