单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

技术：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：

功率耗散（最大值）：

已选条件：

3 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	GCMX080B120S1-E1	SemiQ	SIC 1200V 80M MOSFET...	1	64	加入询价
	GCMS080B120S1-E1	SemiQ	SIC 1200V 80M MOSFET...	1	75	加入询价
	APT40SM120J	Microsemi	MOSFET N-CH 1200V 32...	1	2,000	加入询价

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