- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
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125 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 27A... |
1 | 17,837 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A... |
1 | 16,318 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A... |
1 | 9,978 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A... |
1 | 7,293 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A... |
1 | 37,457 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 35A... |
1 | 10,539 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A... |
1 | 5,985 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A... |
1 | 20,820 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A... |
1 | 8,853 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A... |
1 | 5,107 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A... |
1 | 31,762 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A... |
1 | 11,852 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.4... |
1 | 3,438 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
1 | 10,602 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A... |
1 | 10,002 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 4A... |
1 | 23,132 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 56A... |
1 | 19,540 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.83... |
1 | 9,900 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A... |
1 | 4,449 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 21A... |
1 | 4,862 | 加入询价 |
