漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPT012N06NATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 240A...
1 1,998 加入询价
IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 300A...
1 2,000 加入询价
IAUT300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET_(75V 120V(
1 2,000 加入询价
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