- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 10... |
1 | 135 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC 1200V 80M MOSFET... |
1 | 64 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC 1200V 80M MOSFET... |
1 | 75 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 435... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 150V 400... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 10... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 287... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC 1200V 40M MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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SemiQ | SIC 1200V 40M MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 220... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 32... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 160A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | MOSFET N-CH 200V 108... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1700V 160A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | SICFET N-CH 700V 49A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | SICFET N-CH 1200V 51... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
