供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
FET 功能:
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor
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G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor
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3300V 50M TO-247-4 SIC ...
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