- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
20 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 29A... |
1 | 725 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 42A... |
1 | 511 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 34A... |
1 | 1,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 32A... |
1 | 811 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 42A... |
1 | 103 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 900V 9A... |
1 | 378 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 32A... |
1 | 57 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 42A... |
1 | 33 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 300V 53A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 42A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 29A... |
1 | 6 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 34A... |
1 | 59 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 32A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 850V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 29A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 42A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 800V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 500V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |