- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (6)
- STMicroelectronics (24)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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38 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22A... |
1 | 1,118 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15.... |
1 | 776 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 995 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 360 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 21A... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 506 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22A... |
1 | 12 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 900V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 19.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
