- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (6)
- Nexperia (1)
- ON Semiconductor (2)
- ROHM Semiconductor (15)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,300 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 9.7... |
1 | 11,067 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 7,740 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 600V 7A TO-220FM, LOW... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 600V 9A TO-220FM, FAS... |
1 | 1,084 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 100V 16A... |
1 | 4,097 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 7A TO-252, LOW-NO... |
1 | 2,487 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 146 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 29 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 7A TO-220FM, LOW... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 829 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 998 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 9.7... |
1 | 63 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 5A... |
1 | 6 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 2 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 9.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 500V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
