- 品牌：
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- STMicroelectronics (10)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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20 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | HIGH-SPEED SWITC... |
1 | 2,470 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 4A TO-220FM, HIG... |
1 | 995 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A... |
1 | 889 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A... |
1 | 853 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A... |
1 | 695 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A... |
1 | 973 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 4A... |
1 | 76 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5.5... |
1 | 35 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 150V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 200V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 200V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
