- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (3)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 6A... |
1 | 2,686 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 80V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 100V 23A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 80V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 60V 35A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 12A... |
1 | 900 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 938 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 36A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 26A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
