- 品牌:
-
- Intersil(瑞萨电子公司) (5)
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Intersil(瑞萨电子公司) | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 1,490 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
1 | 2,918 | 加入询价 | ||
Intersil(瑞萨电子公司) | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 800 | 加入询价 | ||
Intersil(瑞萨电子公司) | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 999 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 35A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 35A... |
1 | 25 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 47A... |
1 | 11 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 47A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 250V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Intersil(瑞萨电子公司) | MOSFET P-CH 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Intersil(瑞萨电子公司) | MOSFET P-CH 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |