- 品牌：
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- Nexperia (5)
- ON Semiconductor (4)
- STMicroelectronics (12)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
54 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 4.6A... |
1 | 78,833 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 670... |
1 | 1,134 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 30V 1.78... |
1 | 148,133 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 10A... |
1 | 6,176 | 加入询价 | |
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|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 830... |
1 | 36,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL... |
1 | 3,699 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V, 16A,RD<10M@10V,V... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-150V,-2.2A,RD(MAX)<3... |
1 | 3,998 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, 2A,RD<540M@10V,V... |
1 | 2,946 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<12M@10V,... |
1 | 3,933 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<12M@10V,... |
1 | 3,790 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P40V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 2,950 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 1A... |
1 | 488 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 600... |
1 | 108 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 150V 5A... |
1 | 475 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 40V 4.6A... |
1 | 8,785 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 8V 6A S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 40V 4.6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 7.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 250... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
