- 品牌:
-
- Diodes Incorporated (29)
- ON Semiconductor (2)
- Vishay / Siliconix (16)
- YANGJIE (1)
- 安装类型:
-
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 11A... |
1 | 21,720 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.1A... |
1 | 45,400 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 10.3... |
1 | 28,617 | 加入询价 | ||
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET P-CH 20V 2.9A... |
1 | 228,067 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 10.3... |
1 | 8,707 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 400... |
1 | 6,636 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.6A... |
1 | 14,283 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A... |
1 | 24,558 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A... |
1 | 15,802 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.2A... |
1 | 5,716 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 1,890 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,209 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V... |
1 | 8,339 | 加入询价 | ||
Microchip Technology | MOSFET P-CH 350V 180... |
1 | 921 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 25V 4A ... |
1 | 134 | 加入询价 | ||
Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A... |
1 | 393 | 加入询价 | ||
YANGJIE | P-CH MOSFET 20V 3.4A... |
1 | 798 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 9.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 7.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A... |
1 | 14,810 | 加入询价 |