FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
GT088N06T Goford Semiconductor
N60V,RD(MAX)<9M@10V,R...
1 65 加入询价
MTP2P50E ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2A...
1 2,000 加入询价
MTP6P20E ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 6A...
1 2,000 加入询价
MTP2P50EG ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2A...
1 2,000 加入询价
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