封装/外壳:
供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DMP3008SFGQ-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 8.6A...
1 30,760 加入询价
DMP3008SFGQ-13 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 8.6A...
1 6,000 加入询价
DMP3008SFG-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 8.6A...
1 1,918 加入询价
BSC079N03SG Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14.6...
1 648 加入询价
DMP3008SFG-13 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 8.6A...
1 2,000 加入询价
BSC072N025S G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 15A...
1 2,000 加入询价
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