单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

封装/外壳：

供应商器件封装：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：

功率耗散（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	SISS30ADN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET N-CH 80V 15.9...	1	2,000	加入询价
	PSMN023-80LS,115	NXP Semiconductors	MOSFET N-CH 80V 34A...	1	2,000	加入询价