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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
20 V
(1)
30 V
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
11.6A(Ta)
(1)
11A(Ta)
(1)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
1.5V,4.5V
(1)
1.8V,4.5V
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
10 毫欧 @ 11A,4.5V
(1)
9 毫欧 @ 11.6A,4.5V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
1V @ 250µA
(1)
900mV @ 250µA
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
1696 pF @ 10 V
(1)
1774 pF @ 15 V
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) : 30 nC @ 4.5 V
供应商器件封装 : DFN2020M-6
2 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMPB08R5XNX
Nexperia
PMPB08R5XN/SOT1220-2...
1
5,990
加入询价
PMPB07R0UNAX
Nexperia
SMALL SIGNAL MOS...
1
3,000
加入询价
PMPB08R5XNX
Nexperia
-
库存 : 5,990
询价
PMPB07R0UNAX
Nexperia
-
库存 : 3,000
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