漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IPB60R099CPATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A...
1 2,958 加入询价
C3M0280090J-TR Wolfspeed
SICFET N-CH 900V 11A...
1 9,629 加入询价
C3M0280090J Wolfspeed
SICFET N-CH 900V 11A...
1 5,299 加入询价
APT38N60SC6 Microsemi
MOSFET N-CH 600V 38A...
1 2,000 加入询价
IPB65R099C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 38A...
1 2,000 加入询价
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