供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SIHB12N65E-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A...
1 904 加入询价
SIHB12N60E-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A...
1 2,000 加入询价
STB14NK50ZT4 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A...
1 2,000 加入询价
SIHB12N50E-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 500V 10....
1 2,000 加入询价
SIHB12N60ET1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A...
1 2,000 加入询价
SIHB12N60ET5-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 600V 12A...
1 2,000 加入询价
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