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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
漏源电压(Vdss):
20 V
(1)
30 V
(2)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
1.78A(Tc)
(1)
2.28A(Tc)
(1)
480mA(Ta)
(1)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
1.5V,4.5V
(1)
1.8V,4.5V
(2)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
1 欧姆 @ 200mA,4.5V
(1)
300 毫欧 @ 200mA,4.5V
(1)
460 毫欧 @ 200mA,4.5V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
43 pF @ 25 V
(2)
45 pF @ 20 V
(1)
功率耗散(最大值):
2.5W(Tc)
(2)
350mW(Ta)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
工作温度 : -55°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装 : SOT-883
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) : 0.89 nC @ 4.5 V
3 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PMZ390UN,315
Nexperia
MOSFET N-CH 30V 1.78...
1
148,133
加入询价
PMZ1000UN,315
Nexperia
MOSFET N-CH 30V 480M...
1
42,416
加入询价
PMZ250UN,315
Nexperia
MOSFET N-CH 20V 2.28...
1
2,000
加入询价
PMZ390UN,315
Nexperia
-
库存 : 148,133
询价
PMZ1000UN,315
Nexperia
-
库存 : 42,416
询价
PMZ250UN,315
Nexperia
-
库存 : 2,000
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