- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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115 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 4A... |
1 | 8,827 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A... |
1 | 9,687 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.5... |
1 | 10,390 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 48,621 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 7.6... |
1 | 3,920 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A... |
1 | 18,217 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 17A... |
1 | 10,768 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 7.6... |
1 | 26,817 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 14.... |
1 | 36,599 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 6,957 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A... |
1 | 8,961 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13A... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 1.7... |
1 | 1,336 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 1,675 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 3A... |
1 | 259 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 551 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2... |
1 | 12 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
