- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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47 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 21A... |
1 | 11,488 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 9,007 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A... |
1 | 2,958 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 5,599 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 21A... |
1 | 2,980 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 25A... |
1 | 1,998 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 1,996 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 990 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 61A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 60 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
