- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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75 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A... |
1 | 171 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 17A... |
1 | 996 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_LEGAC... |
1 | 400 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 21A... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13A... |
1 | 388 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 567 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 23A... |
1 | 494 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 650V FET COOLMOS T... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
1 | 485 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A... |
1 | 4 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | 650V FET COOLMOS T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 6.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY |
1 | 2,000 | 加入询价 |
