- 品牌：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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18 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 10,528 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
1 | 645 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A... |
1 | 854 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 814 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 1.8... |
1 | 5 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 3.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 800... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | CONSUMER |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 650V 2.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 650V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
