- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
49 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 1,274 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 19,988 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | CONSUMER PG-TO220-... |
1 | 2,953 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 3,912 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 6A... |
1 | 1,026 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 6A... |
1 | 253 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6A... |
1 | 948 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 11.... |
1 | 462 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 68 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10A... |
1 | 500 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 3.9... |
1 | 500 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 6.5... |
1 | 148 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 395 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 840 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.8... |
1 | 480 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET 600V TO220 FU... |
1 | 500 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 15A... |
1 | 219 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 8.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 8.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 18.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |