- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6A... |
1 | 16,467 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 12.... |
1 | 108,737 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 14.... |
1 | 10,648 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 18A... |
1 | 24,005 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 4A... |
1 | 47,344 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 8.5... |
1 | 7,163 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6A... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | CONSUMER PG-TO252-... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | CONSUMER PG-TO252-... |
1 | 2,134 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.6... |
1 | 1,603 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 2,317 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 1,243 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 264 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 5.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.8... |
1 | 90 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
