- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 功率耗散(最大值):
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7 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Microsemi | MOSFET N-CH 100V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | MOSFET N-CH 200V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | MOSFET N-CH 100V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | MOSFET N-CH 200V 26A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | MOSFET N-CH 200V 26A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | MOSFET P-CH 100V 6.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Microsemi | MOSFET P-CH 100V 6.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |