- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC | GANFET N-CH 65V 2A ... |
1 | 54,112 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 100V 90A... |
1 | 4,814 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET NCH 40V 60A ... |
1 | 5,832 | 加入询价 | |
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EPC | GAN FET 40V .002OHM ... |
1 | 9,298 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 30V 60A... |
1 | 11,267 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GANFET N-CH |
1 | 546 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GANFET N-CH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GANFET N-CH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV PG-LSON-8 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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EPC Space | 60V 1A |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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EPC Space | GAN FET HEMT 40V 95... |
1 | 150 | 加入询价 | |
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EPC Space | GAN FET HEMT 200V 8... |
1 | 150 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 300V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GANFET N-CH 600V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
