- 品牌：
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- ON Semiconductor (1)
- EPC Space (10)
- Transphorm (20)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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45 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Transphorm | 650 V 95 A GAN FET |
1 | 475 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 6.5... |
1 | 3,645 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 13 A GAN FET |
1 | 3,014 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 25A... |
1 | 13,017 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 34 A GAN FET |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 16A... |
1 | 127 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 20A... |
1 | 150 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 25 A GAN FET |
1 | 399 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 35A... |
1 | 193 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GANFET N-CH |
1 | 546 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 34 A GAN FET |
1 | 70 | 加入询价 | |
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EPC Space | 100V 5A |
1 | 25 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GANFET N-CH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GANFET N-CH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Transphorm | GAN FET N-CH 650V P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV PG-LSON-8 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | GAN HV |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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EPC Space | 60V 1A |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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EPC Space | GAN FET HEMT 40V 95... |
1 | 150 | 加入询价 | |
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EPC Space | GAN FET HEMT 200V 8... |
1 | 150 | 加入询价 |
