- 品牌：
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- ON Semiconductor (13)
- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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GeneSiC Semiconductor | 1200V 12M TO-247-4 G3R S... |
1 | 701 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 4... |
1 | 382 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 445 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 3... |
1 | 358 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 2... |
1 | 727 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 626 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 450 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 443 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 634 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 435 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 15 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOSFET 1200 V 14... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 750V |
1 | 2,000 | 加入询价 |
