- 品牌：
-
- Microchip Technology (41)
- ON Semiconductor (69)
- STMicroelectronics (16)
- Littelfuse (7)
- Microsemi (16)
- SemiQ (6)
- Wolfspeed (2)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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245 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-4L 650V |
1 | 634 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-3L 650V |
1 | 570 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 206 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 900V 46A... |
1 | 450 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 175 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 435 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 627 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | PM-MOSFET-SIC-SBD... |
1 | 27 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 19... |
1 | 821 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 786 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 19... |
1 | 430 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 276 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 260 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 830 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 30... |
1 | 760 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 90A... |
1 | 120 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 938 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 988 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 940 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 870 | 加入询价 |
