- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A... |
1 | 19,844 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 110V 23A... |
1 | 15,407 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 3.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 400V N-CHANNEL MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 700V N-CHANNEL MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 600V N-CHANNEL MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 650V N-CHANNEL MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 100V 23A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
