- 品牌：
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- STMicroelectronics (14)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 1,299 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 472 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 3,748 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TD... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 961 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 942 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 17A... |
1 | 696 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 17A... |
1 | 425 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 17A... |
1 | 47 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 43A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 43A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 100V 52A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 43A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 17A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 28A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
