- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (1)
- Nexperia (5)
- ON Semiconductor (27)
- Littelfuse (1)
- PANJIT (10)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-CH 30V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 40V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 40V 50A... |
1 | 1,500 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 40V 85A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 100V 52A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 18.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 24A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 7 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 9A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
