- 品牌：
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- Diodes Incorporated (16)
- Nexperia (8)
- ON Semiconductor (62)
- STMicroelectronics (51)
- Littelfuse (7)
- PANJIT (15)
- UMW (1)
- Vishay / Siliconix (59)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6.5... |
1 | 226 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 4.4... |
1 | 738 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 39 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 345 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 10A... |
1 | 983 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 7A... |
1 | 792 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8.5... |
1 | 56 | 加入询价 | |
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PANJIT | 60V P-CHANNEL ENHA... |
1 | 361 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 7.2... |
1 | 50 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 10... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 26A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 21.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 80V 2.2A... |
1 | 3 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 9.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2... |
1 | 12 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 40V 6.2A... |
1 | 45 | 加入询价 | |
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PANJIT | 60V P-CHANNEL ENHA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHA 60V 10... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
