- 品牌：
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- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 40V 12A... |
1 | 47,752 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 21A... |
1 | 3,940 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | N-CH MOSFET 40V, +/-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 29A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 34A... |
1 | 20 | 加入询价 | |
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Honeywell Aerospace | MOSFET N-CH 55V 4PO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 90V 10M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 90V 10M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 90V 10M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 29A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Honeywell Aerospace | MOSFET N-CH 55V 8CD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Honeywell Aerospace | MOSFET N-CH 55V 8-D... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Honeywell Aerospace | MOSFET N-CH 55V 4-P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
