- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (201)
- Infineon Technologies (1026)
- Intersil（瑞萨电子公司） (74)
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- ON Semiconductor (1404)
- STMicroelectronics (794)
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- Vishay / Siliconix (1724)
- YANGJIE (1)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
-
6,132 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 53A... |
1 | 27,456 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 14,383 | 加入询价 | |
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|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 10.9... |
1 | 5,653 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 42A... |
1 | 5,367 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.1A... |
1 | 10,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 28A... |
1 | 31,347 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 14A... |
1 | 11,431 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 27.5... |
1 | 1,795 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 23A... |
1 | 10,843 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 49A... |
1 | 14,432 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A... |
1 | 11,852 | 加入询价 | |
|
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 7.5... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A... |
1 | 45,995 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 13A... |
1 | 18,217 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 100V 1A... |
1 | 66,200 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 400V 1.8... |
1 | 4,858 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 135A... |
1 | 6,701 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1A... |
1 | 30,142 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 42A... |
1 | 53,928 | 加入询价 | |
|
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 100V 19A... |
1 | 10,859 | 加入询价 |
