- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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7 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Taiwan Semiconductor | 600V, 11A, SINGLE N-C... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | 600V, 11A, SINGLE N-C... |
1 | 15,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | 600V, 11A, SINGLE N-C... |
1 | 3,955 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 484 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 600V 11A TO-220FM, HIG... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 13 | 加入询价 |
