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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
7.7 nC @ 4 V
(1)
7.7 nC @ 4.5 V
(2)
功率耗散(最大值):
480mW(Ta)
(2)
480mW(Ta),4.17W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
技术 : MOSFET(金属氧化物)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) : 74 毫欧 @ 2.8A,4.5V
3 条记录
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型号
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库存
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PMV65XP,215
Nexperia
MOSFET P-CH 20V 2.8A...
1
243,363
加入询价
PMV65XPVL
Nexperia
MOSFET P-CH 20V 2.8A...
1
2,000
加入询价
PMV65XP/MIR
Nexperia
MOSFET P-CH 20V 2.8A...
1
2,000
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PMV65XP,215
Nexperia
-
库存 : 243,363
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PMV65XPVL
Nexperia
-
库存 : 2,000
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PMV65XP/MIR
Nexperia
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库存 : 2,000
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