供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SIR5110DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 100 V (D-S...
1 2,000 加入询价
2SK3710 Sanken Electric Co., Ltd.
MOSFET N-CH 60V 85A...
1 2,000 加入询价
2SK3711 Sanken Electric Co., Ltd.
MOSFET N-CH 60V 70A...
1 2,000 加入询价
2SK3801 Sanken Electric Co., Ltd.
MOSFET N-CH 40V 70A...
1 2,000 加入询价
2SK3800VL Sanken Electric Co., Ltd.
MOSFET N-CH 40V 70A...
1 2,000 加入询价
2SK3800VR Sanken Electric Co., Ltd.
MOSFET N-CH 40V 70A...
1 2,000 加入询价
2SK3800 Sanken Electric Co., Ltd.
MOSFET N-CH 40V 70A...
1 2,000 加入询价
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